今天我们就讲一下氮化硅结合碳化硅烧成的特殊性，氮化硅结合碳化硅材料是以SiC和Si为主要组分并加入添加剂制成试样，在氮化炉中输入纯度为99.99%的N2进行氮化烧结，在合适的烧成制度下试样氮化烧结成为氮化硅结合碳化硅材料。经过对试样的显微结构分析和反应热力学分析，该材料中的Si3N4是以纤维状和柱状两种形态存在，认为Si的氮化是由于N2达不到100%的纯净，其中有少量O2存在，装窑过程是在日常环境下进行，然后再抽真空并注入N2置换，炉内呈微正压状态。由于窑炉难以做到完全的封闭，所以在窑炉升温过程中Si首先被氧化成为SiO，降低了体系中的氧分压，当氧分压足够低时，Si与N2直接形成柱状Si3N4，气态SiO亦可与N2反应生成Si3N4，因此生成的Si3N4为纤维状。氮化反应前SiO主要分布于材料孔隙和表面，因此生成的Si3N4分布不均匀，导致了氮化硅结合碳化硅材料制品从表面到内部的结构不均匀。

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