氮化硅结合碳化硅在氮化炉中烧制时，我们对氮化硅材料氮化烧结环境下最新的研究认为在烧成反应中存在着间接反应和直接反应。在反应中，作为反应的参与者，N2的分压起着极为重要的作用，但不论氮分压的大小如何，只要生产Si3N4，那么在坯体内就存在着N2的浓度梯度和生成Si3N4的浓度梯度，而且这种浓度梯度的方向是相同的，越是接近坯体表面其两个组分的浓度越高。要想反应不断向坯体内部推进就必须确保合适的氮分压和反应温度。

            在纯Si3N4的氮化烧结中，通常会发生“流硅”反应而使氮化反应受到影响，这是因为氮化反应是一个放热反应，为使反应完全又将Si粉的粒径控制在很小范围内，这样在氮化过程中若控制不当时，供给热量和生成热量叠加而使温度达到了硅的熔点使Si粉熔化而产生所谓的“流硅”现象。在氮化硅结合碳化硅的氮化烧结中，Si粉的浓度含量相对较低，而浓度较高的SiC又有着较大的导热率从而抑制了“流硅”现象的发生。