今天小编讲一下氮化硅结合氮化硅生产烧制的大致概念，一般用于反应烧结法，反应烧结法只能在很高温度，甚至热压及在N2气氛下进行烧结。这种方法的生产成本较高、生产工艺和控制复杂而难以实现规模化大生产，因而只有高技术陶瓷行业采用。为降低烧结降低成本，以Si3N4和SiC为原料，在氧化气氛和较低温度下能利用普通窑炉进行Si3N4/SiC复合材料生产的逆反应烧结新工艺发展很快。最佳的烧结工艺是50℃/h的升温速率，在800℃左右进行4 h以上的保温，然后在1450℃再烧结2 h，该工艺可以获得较高比强度及密度增加率和适中残氮率的氮化硅结合碳化硅材料。

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