氮化硅结合碳化硅使用6年后过梁砖不同部位用砖的显微结构照片。风道侧和炉腔侧用砖无论是SiC颗粒还是基质都有严重氧化迹象，且SiC颗粒表面有明显的氧化变质层，基质部分有SiO2析晶形成的方石英，且能谱分析未能检测到N元素。所不同的是：在风道侧用砖内，SiC颗粒和氧化变质层有明显的分离，基质开裂严重且较为疏松，另外可明显看到颗粒表面有连续成片的孔洞，应该是SiO2高温分解留下的痕迹；而炉腔侧用砖的SiC颗粒和氧化变质层的结合相对紧密，基质有开裂现象，但相对致密。中心部位较为致密，且可见表面被氧化产物包裹的氮化硅形貌，说明该部位的氧化较两侧弱。因此，从氧化侵蚀造成的劣化程度上比较，风道侧＞炉腔侧＞中心部位。

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