氮化硅坩埚中的悬浊液喷涂后经过烧结，再经工艺熔炼的试验条件，依此类推。相同涂层在经熔炼后，坩埚内壁的上半部分（不与硅熔体接触）腐蚀严重，有些大蚀坑已透过坩埚壁，下半部分腐蚀情况较轻；而经工艺熔炼后，坩埚内壁大部分保持完整，虽然局部有轻微腐蚀并不明显。Si3N4没有固定的熔点，通常在1870摄氏度左右分解氮气和液态硅，但其分解温度会随着压力减小而降低，在压力低于1×10pa时，分解温度低于1600摄氏度，根据Si3N4分解温度与压力曲线熔炼条件下Si3N4会发生分解，反应产物促进氮化硅坩埚形成严重的蚀坑；随着温度升高和保温时间延长分解情况将加剧。当采用氢气保护熔炼时，将使Si3N4的分解温度升高，可避免涂层分解。