国内氮化硅结合碳化硅产品面临着两大关键技术难题：①现有的摩擦压砖机成型技术很难使坯体密度增加并很难使坯体密度沿厚度方向保持均匀分布；②采用常规的氮化烧成工艺很难使大规格制品
芯部氮化完全。一般反应烧结法只能在很高温度，甚至热压及在Ｎ２ 气氛下进行烧结。这种方法的生产成本较高、生产工艺和控制复杂而难以实现规模化大生产，因而只有高技术陶瓷行业采用。为降低烧结降低成本，以Ｓｉ３Ｎ４ 和ＳｉＣ为原料，在氧化气氛和较低温度下能利用普通窑炉进行Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ复合材料生产的逆反应烧结新工艺发展很快。最佳的烧结工艺是５０℃／ｈ的升温速率，在８００℃左右进行４ｈ以上的保温，然后在１４５０℃再烧结２ｈ，该工艺可以获得较高比强度及密度增加率和适中残氮率的氮化硅结合碳化硅材料。
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