氮化硅结合碳化硅的原材料中，Ｓｉ３Ｎ４ 与ＳｉＣ的性能接近，具有较高的热稳定性和化学稳定性，是ＳｉＣ材料的理想结合相。Ｓｉ３Ｎ４和ＳｉＣ均为强共价键化合物，所以Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ材料有很好的抗折强度，且表面氧化后可形成致密氧化物保护膜，阻止氧化的进一步进行，具有较好的抗氧化性。目前生产Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ材料普遍采用的反应烧结法工艺是在ＳｉＣ原料中掺入Ｓｉ粉，成型后在氮气气氛中烧成（１２００～１４００℃）。反应生成的纤维状Ｓｉ３Ｎ４ 将ＳｉＣ颗粒紧密地结合在一起，形成致密块
体。
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