我们通过氮化硅结合碳化硅的反应热力学方程式分析可以看出，SiO和N2的反应是容易进行的。由于是气与气反应，反应动力学上也同样容易进行，所以SiO与N2反应生成Si3N4的速度必然很快。反应生成Si3N4后放出O2再与Si反应生成SiO，这一反应过程反复进行，促成大量Si3N4生成并以纤维状存在于SiC颗粒间界。综合以上分析可以看出，Si3N4-SiC复合材料中，存在间接反应和直接反应，间接反应是Si先与气氛中的残余O2反应生成气态SiO，再与N2生成Si3N4，产物为纤维状。间接反应降低了氧分压，提供了Si与N2直接生成Si3N4的条件，其产物为柱状，混合存在于结构体的基质中。通过对氮化硅结合碳化硅反应机理的表述，我们在生产此材料制品过程中得到一个提示：氮化硅结合碳化硅制品在氮化过程中由于制品的表面与中心存在着氮化率梯度，所以制品的壁不能过厚，即在制作氮化硅结合碳化硅脱硫喷嘴的过程中，在满足制品强度要求的情况下选择合适的制品壁厚，为了减薄壁厚，以保证生坯的强度，就要对材料配方和浆料的调制及成形方式进行选择。

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